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S1223-01 Si PIN Photodiode For Visible to Near IR Precision Photometry

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CHINA ShenzhenYijiajie Electronic Co., Ltd. zertifizierungen
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S1223-01 Si PIN Photodiode For Visible to Near IR Precision Photometry

S1223-01 Si PIN Photodiode For Visible to Near IR Precision Photometry
S1223-01 Si PIN Photodiode For Visible to Near IR Precision Photometry S1223-01 Si PIN Photodiode For Visible to Near IR Precision Photometry

Großes Bild :  S1223-01 Si PIN Photodiode For Visible to Near IR Precision Photometry

Produktdetails:
Herkunftsort: JAPAN
Markenname: Hamamatsu
Modellnummer: S1223-01
Zahlung und Versand AGB:
Min Bestellmenge: 1
Preis: Verhandlungsfähig
Verpackung Informationen: Standardbox
Lieferzeit: 3-5work Tage
Zahlungsbedingungen: L/C, D/A, D/P, T/T, Western Union
Versorgungsmaterial-Fähigkeit: 1000 Stück/Monat
Kontakt

S1223-01 Si PIN Photodiode For Visible to Near IR Precision Photometry

Beschreibung
Lichtempfindlicher Bereich: 3.6 × 3,6 mm Paket: Metall
Paketkategorie: To-5 Kühlung: nicht gekühlt
Hervorheben:

Si PIN photodiode for precision photometry

,

UV photodiode sensor for near IR

,

Visible to near IR photodiode sensor

S1223-01 Si PIN Photodiode For Visible to Near IR Precision Photometry

 

Features
-High sensitivity in visible to near infrared range
- High reliability
-High-speed response: fc=20 MHz
-Low capacitance

 

Specification:

Reverse voltage (max.)
30 V
Spectral response range 320 to 1100 nm
Peak sensitivity wavelength (typ.) 960 nm
Photosensitivity (typ.) 0.52 A/W
Dark current (max.) 10000 pA
Cutoff frequency (typ.) 20 MHz
Terminal capacitance (typ.) 20 pF
Noise equivalent power (typ.) 1.3×10-14 W/Hz1/2

 

S1223-01 Si PIN Photodiode For Visible to Near IR Precision Photometry 0

Größe und Tag:

UVflammen-Sensor-Solarvorhänge,

UVsensor der flammen-0.25mm2,

370 Nanometer UV-Licht-Entdeckungs-Sensor

Kontaktdaten
ShenzhenYijiajie Electronic Co., Ltd.

Ansprechpartner: Xu

Telefon: 86+13352990255

Senden Sie Ihre Anfrage direkt an uns (0 / 3000)

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