Chip Size:0,22 mm2
Paket:SMD 2835
Eigenschaften:Hohes Reaktionsvermögen, niedrige Dunkelstrom, gute sichtbare helle Blindheit
Produktbeschreibung:Die Chipgröße beträgt 0,22 mm²
Verkapselung:TO46
Material:Saphirfenster
Chipgröße:0.77 mm2
Verkapselung:TO46
Eigenschaften:Saphirfenster, hohe Empfindlichkeit, geringer dunkler Strom
Lagertemperatur:-40-90°
Betriebstemperatur:-30-85°
Sperrspannung:Höchst- 30 ℃ Vr, Maximum. Wenn, max. v-㎂ Ir = 1
Chipgröße:1 mm2
Verkapselung:TO46
Eigenschaften:Saphirfenster, hohe Empfindlichkeit, geringer dunkler Strom
Material:Grundmaterial des Galliumnitrids
Testobjekt:Breitband-UVA+UVB+UVC-Fotodiode
Prinzip:Funktionieren im photo-voltaischen Modus
Material:Grundmaterial des Galliumnitrids
Breitband:UVA+UVB+UVC-Fotodiode
Prinzip:Funktionieren im photo-voltaischen Modus
Material:Ausgangsmaterial für Galliumnitrid
Testbedingungen:Breitband-UVA+UVB+UVC-Fotodiode
Grundsätze:Betrieb im Photovoltaikmodus
Paket:TO-8
Größe der lichtempfindlichen Fläche:5.8*5.8mm
Umkehrspannung VR Max:5v
Spektralempfindlichkeitsmerkmale (kurz):185 Nm
Spektralempfindlichkeitsmerkmale (lang):260 Nm
Elektrodenmaterial:Ni
Spektraldolstrobutlon:185 bis 400 nm
Fenstermaterial:UVglas
Schnüren:Ca. 1 g
Elektrodenmaterial:Ni
Gewicht:2.7 g
[Grenzbewertung:1