Chip Size:0,22 mm2
Paket:SMD 2835
Eigenschaften:Hohes Reaktionsvermögen, niedrige Dunkelstrom, gute sichtbare helle Blindheit
Produktbeschreibung:Die Chipgröße beträgt 0,22 mm²
Verkapselung:TO46
Material:Saphirfenster
Chipgröße:0.77 mm2
Verkapselung:TO46
Eigenschaften:Saphirfenster, hohe Empfindlichkeit, geringer dunkler Strom
Lagertemperatur:-40-90°
Betriebstemperatur:-30-85°
Sperrspannung:Höchst- 30 ℃ Vr, Maximum. Wenn, max. v-㎂ Ir = 1
Chipgröße:1 mm2
Verkapselung:TO46
Eigenschaften:Saphirfenster, hohe Empfindlichkeit, geringer dunkler Strom
Material:Grundmaterial des Galliumnitrids
Testobjekt:Breitband-UVA+UVB+UVC-Fotodiode
Prinzip:Funktionieren im photo-voltaischen Modus
Material:Grundmaterial des Galliumnitrids
Breitband:UVA+UVB+UVC-Fotodiode
Prinzip:Funktionieren im photo-voltaischen Modus
Material:Ausgangsmaterial für Galliumnitrid
Testbedingungen:Breitband-UVA+UVB+UVC-Fotodiode
Grundsätze:Betrieb im Photovoltaikmodus
Paket:Plastik
Ausgabe:Analog
Versorgungsspannung:-0,5 bis 7 V
Fenstergröße:5,0×5,0mm
Filtermittenwellenlänge:3,8 μm
Größe des empfindlichen Elements:3×3mm
Spektraler Ansprechbereich (blau):390 bis 530 Nm
Anstiegszeit:0.1 Mikrosekunden
Terminalkapazitanz:12 PF
Verpackung:Keramik
Kühlung:Ungekühlt
Spektraler Antwortbereich:190 bis 1000 Nm