Chip Size:0,22 mm2
Paket:SMD 2835
Eigenschaften:Hohes Reaktionsvermögen, niedrige Dunkelstrom, gute sichtbare helle Blindheit
Produktbeschreibung:Die Chipgröße beträgt 0,22 mm²
Verkapselung:TO46
Material:Saphirfenster
Chipgröße:0.77 mm2
Verkapselung:TO46
Eigenschaften:Saphirfenster, hohe Empfindlichkeit, geringer dunkler Strom
Lagertemperatur:-40-90°
Betriebstemperatur:-30-85°
Sperrspannung:Höchst- 30 ℃ Vr, Maximum. Wenn, max. v-㎂ Ir = 1
Chipgröße:1 mm2
Verkapselung:TO46
Eigenschaften:Saphirfenster, hohe Empfindlichkeit, geringer dunkler Strom
Material:Grundmaterial des Galliumnitrids
Testobjekt:Breitband-UVA+UVB+UVC-Fotodiode
Prinzip:Funktionieren im photo-voltaischen Modus
Material:Grundmaterial des Galliumnitrids
Breitband:UVA+UVB+UVC-Fotodiode
Prinzip:Funktionieren im photo-voltaischen Modus
Material:Ausgangsmaterial für Galliumnitrid
Testbedingungen:Breitband-UVA+UVB+UVC-Fotodiode
Grundsätze:Betrieb im Photovoltaikmodus
Ausgangssignal:Offener Kollektor Ausgang (50 V, 80 mA) 10 ms mit Ausgangspuls A
UVTRON Versorgungsspannung:350 V
Verbrennungszeit:Ungefähr 25 Sekunden.
[Grenzbewertung:1
Spektralempfindlichkeitsmerkmale (lang):260 Nm
Gewicht:1,5 g
Lichtempfindlicher Bereich:× 2,4 2,4 Millimeter
Paket:Metall
Paketkategorie:To-5
Typ:Nahe Infrarot
Lichtempfindlicher Bereich:φ1 mm
Paket:Metall