CHINA UVfotodioden-Sensor

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  GS-ABC-2835M Solar UVfotodioden-Sensor-ultravioletter Überwachungssensor

  Chip Size:0,22 mm2

  Paket:SMD 2835

  Eigenschaften:Hohes Reaktionsvermögen, niedrige Dunkelstrom, gute sichtbare helle Blindheit

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  355 Nanometer UVindex-Sensor 0.22mm2 GT-ABC-M für UVdesinfektions-Lampen-Überwachung

  Produkt-Beschreibung:Die Chipgröße ist 0.22mm2

  Verkapselung:TO46

  Material:Saphirfenster

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  Die in Absatz 1 genannten Anforderungen gelten nicht für die Berechnung der in Anhang I der Verordnung (EU) Nr. 528/2012 aufgeführten Daten.

  Chipgröße:0.77 mm2

  Verkapselung:TO46

  Eigenschaften:Saphirfenster, hohe Empfindlichkeit, geringer dunkler Strom

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  GUVA-S12SD UVlampen-Sensor-Schottky-UVindex-Überwachungs-Sensor

  Lagertemperatur:-40-90°

  Betriebstemperatur:-30-85°

  Sperrspannung:Höchst- 30 ℃ Vr, Maximum. Wenn, max. v-㎂ Ir = 1

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  GT-UV400-L Saphirfenster UV-Fotodiodensor für UV-Fotokatalytische Überwachung

  Chipgröße:1 mm2

  Verkapselung:TO46

  Eigenschaften:Saphirfenster, hohe Empfindlichkeit, geringer dunkler Strom

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  Sensor-Gallium-Nitrid-Basis G365T01L UVA UVB, die im photo-voltaischen Modus funktioniert

  Material:Grundmaterial des Galliumnitrids

  Testobjekt:Breitband-UVA+UVB+UVC-Fotodiode

  Prinzip:Funktionieren im photo-voltaischen Modus

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  Foto-voltaische Modusoperation des UVA-GaN-ansässige UVfotodioden-Sensors GS-AB-S

  Material:Grundmaterial des Galliumnitrids

  Breitband:UVA+UVB+UVC-Fotodiode

  Prinzip:Funktionieren im photo-voltaischen Modus

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  Überwachung des UV-Fotodioden-UV-Index auf Basis von GT-ABC-L GaN

  Material:Ausgangsmaterial für Galliumnitrid

  Testbedingungen:Breitband-UVA+UVB+UVC-Fotodiode

  Grundsätze:Betrieb im Photovoltaikmodus

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  S1226-5BQ SI Pin Photodiode für UV- bis sichtbare Präzisionsfotometrie unterdrückt Nahe-IR-Empfindlichkeit

  Paket:TO-5

  Größe der lichtempfindlichen Fläche:2.4*2,4 mm

  Umkehrspannung:5V

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  S1227-66BR Si-Fotodiode Hohe UV-Empfindlichkeit IR-Empfindlichkeit Sperrspannung VR Max. 5 V

  Paket:8,9*10,1mm

  Aktive Flächengröße:5,8 * 5,8 mm

  Rückwärtsspannung VR max.:5V

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  S1337-33BR 10-20mA Si-Fotodioden-Analogoberfläche für genaue Messungen

  Reaktionszeit:1-2MS

  Empfindlichkeit:Hoch

  Speichertemperatur:-40 zu +125°C

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  S12060-10 Silikonavalanche-Fotodiode Niedertemperaturkoeffizient

  Typ:Nahe Infrarot

  Lichtempfindlicher Bereich:φ1 mm

  Paket:Metall

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