Chip Size:0,22 mm2
Paket:SMD 2835
Eigenschaften:Hohes Reaktionsvermögen, niedrige Dunkelstrom, gute sichtbare helle Blindheit
Produkt-Beschreibung:Die Chipgröße ist 0.22mm2
Verkapselung:TO46
Material:Saphirfenster
Chipgröße:0.77 mm2
Verkapselung:TO46
Eigenschaften:Saphirfenster, hohe Empfindlichkeit, geringer dunkler Strom
Lagertemperatur:-40-90°
Betriebstemperatur:-30-85°
Sperrspannung:Höchst- 30 ℃ Vr, Maximum. Wenn, max. v-㎂ Ir = 1
Chipgröße:1 mm2
Verkapselung:TO46
Eigenschaften:Saphirfenster, hohe Empfindlichkeit, geringer dunkler Strom
Material:Grundmaterial des Galliumnitrids
Testobjekt:Breitband-UVA+UVB+UVC-Fotodiode
Prinzip:Funktionieren im photo-voltaischen Modus
Material:Grundmaterial des Galliumnitrids
Breitband:UVA+UVB+UVC-Fotodiode
Prinzip:Funktionieren im photo-voltaischen Modus
Material:Ausgangsmaterial für Galliumnitrid
Testbedingungen:Breitband-UVA+UVB+UVC-Fotodiode
Grundsätze:Betrieb im Photovoltaikmodus
Gewicht:5.3 G
Versorgungsspannung (Gleichstrom):420 V
Spektralantwort (kurz):185 Nm
Lichtempfängeroberfläche:11 × 6 mm
Pixelanzahl:1
Paket:aus Keramik
Typ:Nahe-Infrarot (niedriger Temperaturkoeffizient)
Lichtempfängeroberfläche:φ0,2 mm
Paket:Metall
Spektraler Ansprechbereich:185 bis 260 nm
Versorgungsspannung (Gleichstrom):500 ± 50V
Durchschnittlicher Entladestrom:0.3mA
