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Foto-voltaische Modusoperation des UVA-GaN-ansässige UVfotodioden-Sensors GS-AB-S

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Foto-voltaische Modusoperation des UVA-GaN-ansässige UVfotodioden-Sensors GS-AB-S

Foto-voltaische Modusoperation des UVA-GaN-ansässige UVfotodioden-Sensors GS-AB-S
Foto-voltaische Modusoperation des UVA-GaN-ansässige UVfotodioden-Sensors GS-AB-S

Großes Bild :  Foto-voltaische Modusoperation des UVA-GaN-ansässige UVfotodioden-Sensors GS-AB-S

Produktdetails:
Herkunftsort: China
Markenname: YJJ
Modellnummer: GS-AB-S
Zahlung und Versand AGB:
Min Bestellmenge: 5
Verpackung Informationen: Rohre von
Lieferzeit: Tage 3-5work
Zahlungsbedingungen: L/C, D/A, D/P, T/T, Western Union, MoneyGram
Versorgungsmaterial-Fähigkeit: 1501/pcs/pre
Kontakt

Foto-voltaische Modusoperation des UVA-GaN-ansässige UVfotodioden-Sensors GS-AB-S

Beschreibung
Material: Grundmaterial des Galliumnitrids Breitband: UVA+UVB+UVC-Fotodiode
Prinzip: Funktionieren im photo-voltaischen Modus Verpacken: TO-46
Testobjekt: Ultraviolette Entdeckung
Hervorheben:

UVfotodioden-Sensor GS-AB-S

,

GaN-ansässiger UVfotodioden-Sensor

,

UVA-UVfotodiode

Produkt-Beschreibung:

GS-AB-S GaN-ansässige UVfotodiode

Eigenschaften:

Breite Fotodiode des Bandes UVA+UVB+UVC

Foto-voltaische Modusoperation

TO-46metal Wohnung

Gute sichtbare Blindheit

Hohes responsivity und niedriger Dunkelstrom

UVindexüberwachung, UV-Strahlungs-Dosismaß, Flammenentdeckung

Spezifikation

Parameter Symbol Wert Einheit
Maximalleistungen
OperationsTemperaturspanne Topt -25-85 OC
Lagertemperaturbereich Tsto -40-85 OC
Löttemperatur (3 s) Tsol 260 OC
Sperrspannung Vr-maximal -10 V
Allgemeine Eigenschaften (25 OC)
Chipgröße 1 mm2
Dunkelstrom (Vr = -1 V) Identifikation <1>Na
Temperaturkoeffizient (@265 Nanometer) Tc 0,05 % OC
Kapazitanz (bei 0 V und 1 MHZ) Cp 18 PF
Spektralansprechcharakteristika (25 OC)
Wellenlänge von Höchst-responsivity λ p 355 Nanometer
Höchst-responsivity (bei 355 Nanometer) Rmax 0,20 A/W
Spektralwartestrecke (R=0.1×Rmax) - 210-370 Nanometer
UV-sichtbares Ablehnungsverhältnis (Rmax/R400 Nanometer) - >104 -

Spezifikationen:

Spezifikationen Parameter
Höchstwellenlänge 355NM
Helle Empfindlichkeit 0.20A/W
Anstiegszeit 3US
Testbedingungen typische Werte, Ta=25°

Foto-voltaische Modusoperation des UVA-GaN-ansässige UVfotodioden-Sensors GS-AB-S 0

Größe und Tag:

UVflammen-Sensor-Solarvorhänge,

UVsensor der flammen-0.25mm2,

370 Nanometer UV-Licht-Entdeckungs-Sensor

Kontaktdaten
ShenzhenYijiajie Electronic Co., Ltd.

Ansprechpartner: Xu

Telefon: 86+13352990255

Senden Sie Ihre Anfrage direkt an uns (0 / 3000)

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