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Produktdetails:
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| Chipgröße: | 1 mm2 | Verkapselung: | TO46 |
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| Eigenschaften: | Saphirfenster, hohe Empfindlichkeit, geringer dunkler Strom | Die Wellenlänge der Antwort beträgt: | 200 bis 400 nm |
| Hervorheben: | Saphirfenster UVfotodioden-Sensor,UVfotodioden-Sensor-Photocatalytic Monitor |
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Beschreibung des Produkts:
GT-UV400-L Saphirfenster UV-Fotodiodensor für UV-Fotokatalytische Überwachung
Eigenschaften:
Allgemeine Merkmale: l Material auf Indium-Galliumnitridbasis l Betrieb im Photovoltaikmodus l TO-46 Metallgehäuse l Hohe Reaktionsfähigkeit und geringer Dunkelstrom Anwendungen: UV-LED-Überwachung,UV-Strahlendosismessung, UV-Härtungsspezifikationen Parameters Symbol Value Unit Maximum ratings Operation temperature range Topt -25-85 oC Storage temperature range Tsto -40-85 oC Soldering temperature (3 s) Tsol 260 oC Reverse voltage Vr-max -10 V General characteristics (25 oC) Chip size A 1 mm2 Dark current (Vr = -5 V) Id
< 1 nA Temperaturkoeffizient Tc 0,05 %/ oC Kapazität (bei 0 V und 1 MHz) Cp 60 pF >
Spezifikationen:
| Wellenlänge der Spitzenreaktivität | λ p 375 nm |
| Spitzenreaktivität (bei 385 nm) | Rmax 0,243 A/W |
| Spektraler Ansprechbereich (R=0,1 × Rmax) | 200 bis 400 nm |
| UV-sichtbares Abstoßungsverhältnis (Rmax/R450 nm) | - > 104 - |
Ansprechpartner: Xu
Telefon: 86+13352990255
