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Produktdetails:
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| Chip Size: | 1 mm2 | Verkapselung: | TO46 |
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| Eigenschaften: | Saphirfenster, hohe Empfindlichkeit, niedriger Dunkelstrom | Wartewellenlänge ist-: | 200-400 Nanometer |
| Typische Anwendung: | Kurierende UVüberwachung | ||
| Hervorheben: | Saphirfenster UVfotodioden-Sensor,UVfotodioden-Sensor-Photocatalytic Monitor |
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Produkt-Beschreibung:
GT-UV400-L GaN UV-Sensor für Photocatalytic UVüberwachung
Eigenschaften:
Allgemeine Eigenschaften: L Indium-Gallium-Nitrid Grundmaterial L photo-voltaische Modusoperation L TO-46 Metallgehäuse L hohes responsivity und niedrige Dunkelstrom Anwendungen: UVled-Überwachung, UV-Strahlungs-Dosismaß, kurierende UVspezifikationen: Parameter-Symbol-Wert-Einheits-Maximalleistungs-Operation Temperaturspanne Lagertemperaturbereich Topt -25-85 OC Löttemperatur Tsto -40-85 OC (3 s) Tsol 260 Eigenschaften V OC-Sperrspannung Vr-maximale -10 allgemeine (25 OC) Dunkelstrom mm2 der Chipgröße A 1 (Vr = V) Identifikation -5
<1 nA="" Temperature="" coefficient="" Tc="" 0="">
Spezifikationen:
| Wellenlänge von Höchst-responsivisity | λ p 375 Nanometer |
| Höchst-responsivisity (bei 385 Nanometer) | Rmax 0,243 A/W |
| Spektralwartestrecke (R=0.1×Rmax) | 200-400 Nanometer |
| UV-sichtbares Ablehnungsverhältnis (Rmax/R450 Nanometer) | - >104 - |
Ansprechpartner: Xu
Telefon: 86+13352990255
