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Produktdetails:
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| Chipgröße: | 0.77 mm2 | Verkapselung: | TO46 |
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| Eigenschaften: | Saphirfenster, hohe Empfindlichkeit, geringer dunkler Strom | Wartewellenlänge: | 230 bis 325 nm |
| Typische Anwendung: | Überwachung der Lichttherapielampe | ||
| Hervorheben: | UVI-Entdeckungs-UVfotodioden-Sensor,UVfotodioden-Sensor GaN Crawler |
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Beschreibung des Produkts:
Die in Absatz 1 genannten Anforderungen gelten nicht für die Berechnung der in Anhang I der Verordnung (EU) Nr. 528/2012 aufgeführten Daten.
Eigenschaften:
Allgemeine Merkmale: l Selektive Reaktion auf UVB+UVC-Band l Betrieb im Photovoltaikmodus l TO-46 Metallgehäuse l Gute Sichtblindheit l Hohe Reaktionsfähigkeit und geringer dunkler Strom Anwendungen:UVB-Lampenüberwachung, UVB-Strahlendosismessung Spezifikationen: Parameters Symbol Value Unit Maximum ratings Operation temperature range Topt -25-85 oC Storage temperature range Tsto -40-80 oC Soldering temperature (3 s) Tsol 260 oC Reverse voltage Vr-max -10 V General characteristics (25 oC) Chip size A 0.77 mm2 Dunkler Strom (Vr = -5 V) Id < 1 nA Temperaturkoeffizient (@265 nm) Tc 0,05 %/ oC Kapazität (bei 0 V und 1 MHz) Cp 18 pF>
Spezifikationen:
| Wellenlänge der Spitzenreaktivität | λ p 290 nm |
| Spitzenreaktivität (bei 385 nm) | Rmax 0,129 A/W |
| Spektraler Ansprechbereich (R=0,1 × Rmax) | 230 bis 325 nm |
| UV-sichtbares Abstoßungsverhältnis (Rmax/R450 nm) | - > 10 - |
Ansprechpartner: Xu
Telefon: 86+13352990255
