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Produktdetails:
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| Paket: | 8,9*10,1mm | Aktive Flächengröße: | 5,8 * 5,8 mm |
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| Rückwärtsspannung VR max.: | 5V | Betriebstemperatur: | -20~+60℃ |
| Lagertemperatur: | -20~+80℃ | ||
| Hervorheben: | S1227-66BR Si-Fotodiode,Si-Fotodiode mit hoher UV-Empfindlichkeit,5-V-UV-Fotodiodensensor |
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S1227-66BR Si Photodiode Hohe UV-Empfindlichkeit IR-Empfindlichkeit
Merkmale:
Hohe UV-Empfindlichkeit: QE 75 % (入=200 nm)
Unterdrückt die IR-Empfindlichkeit
Niedriger Dunkelstrom
Anwendungen:
Analytische Ausrüstung
Optische Messgeräte
Datenblatt:
| Spektraler Antwortbereich | 320 bis 1000 Nanometer |
| Wellenlänge der Spitzenempfindlichkeit | 720 Nanometer |
| Dunkelstrom max | 20pA |
| Temperatur | 1.12 |
| Aufstehzeit | 2uS |
Ansprechpartner: Xu
Telefon: 86+13352990255
