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S12060-02 Silikon Avalanche Photodiode Senspr Niedertemperaturkoeffizient Typ APD für 800 Nm Band

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S12060-02 Silikon Avalanche Photodiode Senspr Niedertemperaturkoeffizient Typ APD für 800 Nm Band

S12060-02 Silikon Avalanche Photodiode Senspr Niedertemperaturkoeffizient Typ APD für 800 Nm Band
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Großes Bild :  S12060-02 Silikon Avalanche Photodiode Senspr Niedertemperaturkoeffizient Typ APD für 800 Nm Band

Produktdetails:
Herkunftsort: China
Markenname: Hamamatsu
Modellnummer: S12060-02
Zahlung und Versand AGB:
Min Bestellmenge: 1
Preis: Verhandlungsfähig
Verpackung Informationen: Standardverpackung
Lieferzeit: 5-8workingdays
Zahlungsbedingungen: L/C, D/A, D/P, T/T, Western Union, MoneyGram
Versorgungsmaterial-Fähigkeit: 1000 Stück/MONAT

S12060-02 Silikon Avalanche Photodiode Senspr Niedertemperaturkoeffizient Typ APD für 800 Nm Band

Beschreibung
Typ: Nahe-Infrarot (niedriger Temperaturkoeffizient) Lichtempfängeroberfläche: φ0,2 mm
Paket: Metall Paketkategorie: TO-18
Hervorheben:

S12060-02 Avalanche-Diode

,

Coeffi Cient Avalanche-Diode

,

Niedrigtemperatur-Avalanche-Diode

S12060-02 Silikon Avalanche Photodiode Senspr Niedertemperaturkoeffizient Typ APD für 800 Nm Band

 

Eigenschaften:

Temperaturkoeffizient der Abbruchspannung:
0.4 V/°C
Hochgeschwindigkeitsreaktionen
Hohe Empfindlichkeit und geringer Lärm

 

Anwendungen:

mit einer Leistung von mehr als 50 W
FSO
Glasfaserkommunikation

 

Datenblatt:

Höchstempfindliche Wellenlänge (typisch) 800 nm
Empfindlichkeitswellenlängenbereich 400 bis 1000 nm
Lichtempfindlichkeit (typisch) 0.5 A/W
Dunkler Strom (maximal) 0.5 nA
Frequenz der Abgrenzung (typisch) 1000 MHz
Verbindungskapazität (typisch) 1.5 pF
Ausfallspannung (typisch) 200 V
Temperaturkoeffizient der Abbruchspannung (typisch) 0.4 V/°C
Gewinnquote (typischer Wert) 100

 

S12060-02 Silikon Avalanche Photodiode Senspr Niedertemperaturkoeffizient Typ APD für 800 Nm Band 0

 

Kontaktdaten
ShenzhenYijiajie Electronic Co., Ltd.

Ansprechpartner: Xu

Telefon: 86+13352990255

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