Produktdetails:
|
Typ: | Nahe-Infrarot (niedriger Temperaturkoeffizient) | Lichtempfängeroberfläche: | φ0,2 mm |
---|---|---|---|
Paket: | Metall | Paketkategorie: | TO-18 |
Hervorheben: | S12060-02 Avalanche-Diode,Coeffi Cient Avalanche-Diode,Niedrigtemperatur-Avalanche-Diode |
S12060-02 Silikon Avalanche Photodiode Senspr Niedertemperaturkoeffizient Typ APD für 800 Nm Band
Eigenschaften:
Temperaturkoeffizient der Abbruchspannung:
0.4 V/°C
Hochgeschwindigkeitsreaktionen
Hohe Empfindlichkeit und geringer Lärm
Anwendungen:
mit einer Leistung von mehr als 50 W
FSO
Glasfaserkommunikation
Datenblatt:
Höchstempfindliche Wellenlänge (typisch) | 800 nm |
Empfindlichkeitswellenlängenbereich | 400 bis 1000 nm |
Lichtempfindlichkeit (typisch) | 0.5 A/W |
Dunkler Strom (maximal) | 0.5 nA |
Frequenz der Abgrenzung (typisch) | 1000 MHz |
Verbindungskapazität (typisch) | 1.5 pF |
Ausfallspannung (typisch) | 200 V |
Temperaturkoeffizient der Abbruchspannung (typisch) | 0.4 V/°C |
Gewinnquote (typischer Wert) | 100 |
Ansprechpartner: Xu
Telefon: 86+13352990255