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Produktdetails:
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| Typ: | Nahe Infrarot | Lichtempfindlicher Bereich: | φ1 mm |
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| Paket: | Metall | Paketkategorie: | TO-18 |
| Spitzenempfindlichkeitswellenlänge (typisch): | 800 Nm | Spektraler Antwortbereich: | 400 bis 1000 Nm |
| Hervorheben: | S12060-10,S12060-10 Si-Fotodiode,Hochempfindliche Si-Fotodiode |
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S12060-10 Nahinfrarot-Si-APD APD mit niedrigem Temperaturkoeffizienten für das 800-nm-Band
Dies ist ein Nahinfrarot-Si-APD im 800-nm-Band, der über einen weiten Temperaturbereich stabil betrieben werden kann. Geeignet für Anwendungen wie optische Entfernungsmesser und FSO (Freiraumoptik).
Merkmale
- Durchbruchspannungs-Temperaturkoeffizient: 0,4 V/°C
- Schnelle Reaktion
- Hohe Empfindlichkeit, geringes Rauschen
| Empfindlichkeit (typisch) | 0,5 A/W |
| Dunkelstrom (maximal) | 2 nA |
| Grenzfrequenz (typisch) | 600 MHz |
| Anschlusskapazität (typisch) | 6 pF |
| Durchbruchspannung (typisch) | 200 V |
| Durchbruchspannungs-Temperaturkoeffizient (typisch) | 0,4 V/°C |
| Verstärkung (typisch) | 100 |
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Ansprechpartner: Xu
Telefon: 86+13352990255