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Produktdetails:
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| Spitzenempfindlichkeitswellenlänge (Typ.): | 800 Nm | Spektraler Antwortbereich: | 400 nm - 1000 nm |
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| Dunkler Strom (max.): | Na 2 | Lichtempfindlicher Bereich: | φ1 mm |
| Endkapazität (typisch): | 6 PF | Ausfallspannung (typisch): | 200 V |
| Hervorheben: | Nah-Infrarot-Silizium-Lawinenphotodiode,Lawinenphotodiode für optische Entfernungsmesser,UV-Photodiodensensor mit Garantie |
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S12060-10 Nahinfrarot-Silizium-Lawinenphotodiode hauptsächlich für optische Entfernungsmesser
Hauptmerkmale:
Es hat einen niedrigen Temperaturkoeffizienten der Durchbruchspannung von 0,4 V/℃, was einen stabilen Betrieb in einem weiten Temperaturbereich gewährleistet und nicht leicht durch Umgebungstemperaturänderungen beeinflusst wird.
Typische Anwendungen:
Dieser Sensor wird häufig in Szenarien eingesetzt, die eine hochpräzise Nahinfrarot-Optik-Detektion erfordern, hauptsächlich einschließlich optischer Entfernungsmesser, Freiraumoptik (FSO)-Systeme, medizinische Diagnosegeräte, optische Kommunikationsgeräte und andere Bereiche, die eine stabile optische Signalerkennung unter variablen Temperaturbedingungen erfordern.
| Wellenlänge der maximalen Empfindlichkeit (typ.) | 800 nm |
| Spektralbereich | 400 nm - 1000 nm |
| Fotoaktive Fläche | φ1 mm (0,7854 mm²) |
| Photoleitfähigkeit (typ.) | 0,5 A/W (gemessen bei λ = 800 nm, M = 1) |
| Dunkelstrom (max.) | 2 nA |
| Grenzfrequenz (typ.) | 600 MHz |
| Anschlusskapazität (typ.) | 6 pF |
| Durchbruchspannung (typ.) | 200 V |
| Temperaturkoeffizient der Durchbruchspannung (typ.) | 0,4 V/℃ |
| Verstärkung (typ.) | 100 |
| Gehäuse | Metall-TO-18-Gehäuse |
| Betriebstemperatur | - 40℃ bis +85℃ |
| Lagertemperatur | - 55℃ bis +125℃ |
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Ansprechpartner: Miss. Xu
Telefon: 86+13352990255