CHINA Photoelektrischer Infrarotsensor

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  S6931-01 Siliziumphotodioden, die in klare Kunststoffverpackungen geformt werden

  Lichtempfangseite:2.4 × 2,8 mm

  Verkapselung:Kunststoff

  Kühlung:nicht gekühlt

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  S6775 S6775-01 Silizium-PIN-Fotodiode Hochgeschwindigkeitsantwort

  Lichtempfangseite:5.5 × 4,8 mm

  Verkapselung:Kunststoff

  Kühlung:nicht gekühlt

  Kontakt
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  Hochempfindliche S7686 Si-Fotodiode mit Spitzenempfindlichkeitswellenlänge bei 550 nm und Spektralreaktionsbereich von 480-660 nm

  Rückspannung:10 v

  Betriebstemperatur:-10 bis +60 °C

  Lagertemperatur:-20 bis +70 °C

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  Silikon-Pin-Fotodioden mit hoher Zuverlässigkeit

  Lichtempfangseite:5.8 × 5,8 mm

  Verkapselung:Metall

  Paketkategorie:TO-8

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  S8745-01 Infrarot-Fotoelektrische Sensoren für Präzisionsanalytikgeräte

  Paketart:To-5 Metallpaket

  Fenstermaterial:Quarz

  Spektraler Antwortbereich:190 ~ 1100 nm

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  G12181-003A Infrarot-Fotoelektrische Sensor (InGaAs PIN-Fotodiode) für optische Kommunikationssysteme

  Temperaturkoeffizient der Empfindlichkeit:1,08 mal/℃

  Lagertemperaturbereich:-55 ℃ -125 ℃

  Betriebstemperaturbereich:-40 ℃ -100 ℃

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  G12180-003A Infrarot-Fotoelektrische Sensor (InGaAs PIN-Fotodiode) für Laserüberwachungssysteme

  Paketart:Bis - 18

  Lichtempfindlicher Bereich:φ0,3 mm

  Spektraler Antwortbereich:00,9 bis 1,7 μm

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  YJJ S8745-01 S8746-01 Silizium-Fotodioden mit Vorverstärker werden für die Messung bei schlechten Lichtverhältnissen verwendet

  Eingebaute RF:1 Gω und vgl. 5 PF

  Lichtemittierende Oberfläche:× 2,4 2,4 Millimeter

  Paket:Metall

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  YJJ G12181-003A Nicht gekühlte InGaAs PIN-Photodiode Dose zur Erkennung von Größen verschiedener lichtempfindlicher Bereiche verwendet werden

  Pixelanzahl:1

  Paket:Metall

  Paketkategorie:TO18

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  YJJ S2386-5K Analyseausrüstung Optische Messgeräte Japanische Photodioden

  Lichtemittierende Oberfläche:× 2,4 2,4 Millimeter

  Paket:Metall

  Paketart:To-5

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  YJJ S6967 S6967-01 Silizium-PIN-Fotodiode Kunststoff-SIP-Gehäuse für die Detektion im sichtbaren Licht bis zum Nahinfrarotbereich

  Spektraler Antwortbereich:320 bis 1060 nm

  Maximale Empfindlichkeitswellenlänge:900 nm

  Lichtempfindlichkeit:0,65 a/w

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  EMIRS200_AT01T_BR090 Thermische MEMS-basierte Infrarotquelle TO39-Gehäuse

  Typ:Infrarot

  Betriebstemperatur:-40 ° C ~ 125 ° C.

  Montagetyp:Durch Loch

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