CHINA Photoelektrischer Infrarotsensor

S16786-0515WM MPPC-Methylmethacrylat mit hoher Empfindlichkeit im Nahen Infrarot

Pixel Pitch:15um

Effektiver lichtempfindlicher Bereich:0.5x0.5mm

Paket:Oberflächenbergart
Silikonfotodioden S1226-18BK S1226-18BQ Unterdrückung der NIR-Empfindlichkeit

Lichtempfangseite:1.1 × 1,1 mm

Verkapselung:Metall

Paketkategorie:TO-18
Silikon-Pin-Fotodioden S1226-5BK S1226-5BQ Unterdrückung der NIR-Empfindlichkeit

Lichtempfangseite:× 2,4 2,4 Millimeter

Verkapselung:Metall

Paketkategorie:TO-5
Silikon-Pin-Fotodioden S1226-44BK

Lichtempfangseite:3.6 × 3,6 mm

Verkapselung:Metall

Paketkategorie:TO-5
Silikon-Fotodioden S1337-33BR S1337-66BR Niedrigkapazität

Lichtempfangseite:5.8 × 5,8 mm

Verkapselung:Keramik

Abkühlung:nicht gekühlt
Silikon-Fotodioden mit geringer Kapazität

Lichtempfangseite:5.8 × 5,8 mm

Verkapselung:Keramik

Abkühlung:nicht gekühlt
Silikon-PIN-Fotodiode S5821-01 Hochgeschwindigkeitsreaktion Niedriger dunkler Strom

Lichtempfangseite:φ1,2 mm

Verkapselung:Metall

Paketkategorie:TO-18 mit Linse
Silizium-Fotodioden S2387-66R geeignet für ein universelles Lichtmessgerät im sichtbaren bis Infrarotbereich

Fenstermaterial:Harzpotten

Paket:8.9 mal 10.1

Größe der lichtempfindlichen Fläche:5.8 mal 5.8
Silikon-PIN-Fotodiode S5971 niedriges Preisniveau hohe Zuverlässigkeit mit Umspannung max 20 V

Lichtempfangseite:φ1,2 mm

Verkapselung:Metall

Paketkategorie:TO-18
Silikonfotodioden S1227-66BQ S1227-66BR Unterdrückte IR-Empfindlichkeit

Lichtempfangseite:5.8 × 5,8 mm

Verkapselung:Keramik

Abkühlung:nicht gekühlt
Nichtgekühlte Siliziumphotodioden S1227-33BQ S1227-33BR Spektralreaktionsbereich 190 bis 1000 nm und unterdrückte IR-Empfindlichkeit

Lichtempfangseite:× 2,4 2,4 Millimeter

Verkapselung:Keramik

Abkühlung:nicht gekühlt
Silikon-Fotodioden S1337-1010BR S1337-1010BQ Niedrige Kapazität

Lichtempfangseite:10 × 10 mm

Verkapselung:Keramik

Abkühlung:nicht gekühlt

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Photoelektrischer Infrarotsensor

CHINA Photoelektrischer Infrarotsensor

S16786-0515WM MPPC-Methylmethacrylat mit hoher Empfindlichkeit im Nahen Infrarot

Silikonfotodioden S1226-18BK S1226-18BQ Unterdrückung der NIR-Empfindlichkeit

Silikon-Pin-Fotodioden S1226-5BK S1226-5BQ Unterdrückung der NIR-Empfindlichkeit

Silikon-Pin-Fotodioden S1226-44BK

Silikon-Fotodioden S1337-33BR S1337-66BR Niedrigkapazität

Silikon-Fotodioden mit geringer Kapazität

Silikon-PIN-Fotodiode S5821-01 Hochgeschwindigkeitsreaktion Niedriger dunkler Strom

Silizium-Fotodioden S2387-66R geeignet für ein universelles Lichtmessgerät im sichtbaren bis Infrarotbereich

Silikon-PIN-Fotodiode S5971 niedriges Preisniveau hohe Zuverlässigkeit mit Umspannung max 20 V

Silikonfotodioden S1227-66BQ S1227-66BR Unterdrückte IR-Empfindlichkeit

Nichtgekühlte Siliziumphotodioden S1227-33BQ S1227-33BR Spektralreaktionsbereich 190 bis 1000 nm und unterdrückte IR-Empfindlichkeit

Silikon-Fotodioden S1337-1010BR S1337-1010BQ Niedrige Kapazität

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