CHINA Photoelektrischer Infrarotsensor

Silikon-Fotodioden mit geringer Kapazität

Lichtempfangseite:5.8 × 5,8 mm

Verkapselung:Keramik

Abkühlung:nicht gekühlt
Silikon-PIN-Fotodiode S5821-01 Hochgeschwindigkeitsreaktion Niedriger dunkler Strom

Lichtempfangseite:φ1,2 mm

Verkapselung:Metall

Paketkategorie:TO-18 mit Linse
Silikon-Pin-Fotodioden mit hoher Zuverlässigkeit

Lichtempfangseite:5.8 × 5,8 mm

Verkapselung:Metall

Paketkategorie:TO-8
Silizium-Fotodioden S2387-66R geeignet für ein universelles Lichtmessgerät im sichtbaren bis Infrarotbereich

Fenstermaterial:Harzpotten

Paket:8.9 mal 10.1

Größe der lichtempfindlichen Fläche:5.8 mal 5.8
Silikon-PIN-Fotodiode S5971 niedriges Preisniveau hohe Zuverlässigkeit mit Umspannung max 20 V

Lichtempfangseite:φ1,2 mm

Verkapselung:Metall

Paketkategorie:TO-18
Silikonfotodioden S1227-66BQ S1227-66BR Unterdrückte IR-Empfindlichkeit

Lichtempfangseite:5.8 × 5,8 mm

Verkapselung:Keramik

Abkühlung:nicht gekühlt
Nichtgekühlte Siliziumphotodioden S1227-33BQ S1227-33BR Spektralreaktionsbereich 190 bis 1000 nm und unterdrückte IR-Empfindlichkeit

Lichtempfangseite:× 2,4 2,4 Millimeter

Verkapselung:Keramik

Abkühlung:nicht gekühlt
Silikon-Fotodioden S1337-1010BR S1337-1010BQ Niedrige Kapazität

Lichtempfangseite:10 × 10 mm

Verkapselung:Keramik

Abkühlung:nicht gekühlt
YJJ S1223 S1223-01 Die Silizium-PIN-Fotodiode wird zur präzisen photometrischen Bestimmung im sichtbaren Licht bis zum nahen Infrarotband verwendet

Beleuchtete Oberfläche:3.6 × 3,6 mm

Verpackung:Metall

Verpackungskategorie:TO-5
YJJ G6854-01 InGaAs PIN Photodiode Kugellinsen Fenster verpackt

Wärmeabbau:nicht-kühlende Art

Empfindlichkeitswellenlängenbereich:00,9 bis 1,7 μm

Höchstempfindlichkeitswellenlänge (typischer Wert):10,55 μm
S16767-01MS Silikon-Fotodiode mit niedrigem dunklem Strom für sichtbare Reichweite

Lichtempfindlicher Bereich:20,8 × 2,4 mm

Verpackung:Kunststoff

Kühlung:Ungekühlt
Sichtbare Silizium-Fotodioden im Infrarotband S16840-02MS mit 0,3 A/W Lichtempfindlichkeit und 2,5 μs Aufstiegszeit

Dunkelstrom:PA 10

Anstiegszeit:2,5 μs

Lichtempfindliche Empfindlichkeit:0.3 A/W

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Photoelektrischer Infrarotsensor

CHINA Photoelektrischer Infrarotsensor

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Silikon-PIN-Fotodiode S5971 niedriges Preisniveau hohe Zuverlässigkeit mit Umspannung max 20 V

Silikonfotodioden S1227-66BQ S1227-66BR Unterdrückte IR-Empfindlichkeit

Nichtgekühlte Siliziumphotodioden S1227-33BQ S1227-33BR Spektralreaktionsbereich 190 bis 1000 nm und unterdrückte IR-Empfindlichkeit

Silikon-Fotodioden S1337-1010BR S1337-1010BQ Niedrige Kapazität

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Sichtbare Silizium-Fotodioden im Infrarotband S16840-02MS mit 0,3 A/W Lichtempfindlichkeit und 2,5 μs Aufstiegszeit

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