CHINA Photoelektrischer Infrarotsensor

• 

  S1336-44BQ Silikon-Fotodioden-Pin Niedrigkapazität UV zu NIR für Präzisionsfotometrie

  Empfindlicher Bereich:3.6 × 3,6 mm

  Anzahl der Pixel:1

  Kühl- und:Nicht gekühlt

  Kontakt
• 

  S16838-01MS silicon photodiode for Visible Light Intensity Measurement Color Identification & Sorting

  Lichtempfindlicher Bereich:2,8 × 2,4 mm.

  Spektraler Antwortbereich:320 nm bis 730 nm

  Lichtempfindlichkeit:0,3a/w

  Kontakt
• 

  S16838-02MS Silicon photodiode For Optical Detection Equipment Automated Industrial Production Line

  Lichtempfindlicher Bereich:2,8 × 2,4 mm

  Spektraler Antwortbereich:320 bis 1100 nm

  Spitzenempfindlichkeit Typ.:0,58a/w

  Kontakt
• 

  S10227-10 Photoelectric Sensor Small-sized Resin-sealed CMOS Image Sensor For Barcode Scanning Displacement Measurement

  Pixelabmessungen:12,5 × 250 μm.

  Spektraler Antwortbereich:400 - 1000 nm.

  Videodatenrate:Bis zu 5 MHz

  Kontakt
• 

  Infrared Light Source JSIR350-4-AL-R-D6 For NDIR Gas Analysis Industrial Commercial

  Spektralausgangsbereich:Typ. 1 - 20 μm

  Wärmebeständig:40 ± 20 Ω

  Zeitkonstante:Frau 15

  Kontakt
• 

  YJJ S1226-8BK Hochzuverlässige Siliziumphotodiode eignet sich für die Präzisionsfotometrie von ultraviolettem bis sichtbarem Licht

  Empfangen der Oberfläche:5.8 × 5,8 mm

  Paketkategorie:TO-8

  Umkehrspannung (max.):5v

  Kontakt
• 

  Umspannung VR Max. V 10 UV-Fotodiodensor S1133-01 für Belichtungsmesser und Illuminometer

  Größe der aktiven Fläche:2.4 x 2.8

  Effektives Aktivgebiet:6.6

  Umkehrspannung VR Max. (V):10

  Kontakt
• 

  S6931-01 Siliziumphotodioden, die in klare Kunststoffverpackungen geformt werden

  Lichtempfangseite:2.4 × 2,8 mm

  Verkapselung:Kunststoff

  Kühlung:nicht gekühlt

  Kontakt
• 

  S6775 S6775-01 Silizium-PIN-Fotodiode Hochgeschwindigkeitsantwort

  Lichtempfangseite:5.5 × 4,8 mm

  Verkapselung:Kunststoff

  Kühlung:nicht gekühlt

  Kontakt
• 

  Hochempfindliche S7686 Si-Fotodiode mit Spitzenempfindlichkeitswellenlänge bei 550 nm und Spektralreaktionsbereich von 480-660 nm

  Rückspannung:10 v

  Betriebstemperatur:-10 bis +60 °C

  Lagertemperatur:-20 bis +70 °C

  Kontakt
• 

  Silikon-Pin-Fotodioden mit hoher Zuverlässigkeit

  Lichtempfangseite:5.8 × 5,8 mm

  Verkapselung:Metall

  Paketkategorie:TO-8

  Kontakt
• 

  EMIRS200-AT01T-BR090 Portable Low-Power Infrarotlichtquelle für tragbare Gasanalysatoren

  Spektralbereich:2 ~ 14 μm

  Spitzenemissionswellenlänge:9,6 μm (CO₂ -Absorption)

  Leuchtende Energie:33 MW (bei 500 ° C)

  Kontakt