CHINA Photoelektrischer Infrarotsensor

• 

  S1336-44BQ Si-Fotodiode UV bis nahe IR für die Präzisionsfotometrie TO-5

  Empfindlicher Bereich:3.6 × 3,6 mm

  Anzahl der Pixel:1

  Kühl- und:Nicht gekühlt

  Kontakt
• 

  YJJ S5990-01 Zwei-Dimensionaler Positionsempfindlicher PSD-Detektor Photodiodenoptische Positionsmessung

  Positionserkennung:±70 μm (typisch)

  Maximal:±150μm

  Sättigungsphotostrom:500μA (VR = 5V, Last 1kΩ)

  Kontakt
• 

  LIM-252-GH Planarer Mehrkanal-Pyroelektrischer Detektor Zweikanaliges TO 93-Paket

  Thermische Zeitkonstante:Frau 100

  Blendengröße:ø6,0 mm

  Geräuschdichte:220 NV/√Hz

  Kontakt
• 

  S12023-02 Lawinenfotodioden-APD-Sensor für Analyseinstrumente der optischen Kommunikationsindustrie

  Spitzenempfindlichkeitswellenlänge:800 Nm

  Spektraler Antwortbereich:400 ~ 1100 nm

  Betriebssperrspannung:≤ 200 V

  Kontakt
• 

  YJJ S1227-16BQ Spezial-Silizium-Fotodiode für sichtbares Licht (mit Quarzfenster-Version)

  Empfangen der Oberfläche:5,9 × 1,1 mm

  Paket:Keramik

  Umkehrspannung (max.):5v

  Kontakt
• 

  S12023-02 Low-Bias-Betrieb Infrarot-Si-APD-Hochgeschwindigkeitsreaktion

  Lichtempfindlicher Bereich:φ0,2 mm

  Paket:Metall

  Paketkategorie:TO-18

  Kontakt
• 

  G12180-003A Nichtgekühlter Einzelelement-Infrarot-Fotoelektrischer Sensor 1,55 μm Spitzenwellenlänge max 0,5 NA

  Lichtempfindlicher Bereich:φ0,3 mm

  Spitzenempfindlichkeitswellenlänge (typisch):10,55 μm

  Kühlung:Ungekühlt

  Kontakt
• 

  G12180-003A Infrarot-Fotoelektrische Sensor (InGaAs PIN-Fotodiode) für Laserüberwachungssysteme

  Pakettyp:Bis - 18

  Lichtempfindlicher Bereich:φ0,3 mm

  Spektraler Antwortbereich:00,9 bis 1,7 μm

  Kontakt
• 

  YJJ S5981 Silizium-PIN-Fotodiode 10 × 10 mm zur Nachweissenstechnik im Nahen Infrarot

  Grenzfrequenz:20 MHz (-3 dB)

  Sperrspannung:30 V

  Betriebstemperaturbereich:-40℃ ~ +85℃

  Kontakt
• 

  YJJ G12183-003K InGaAsPIN-Fotodiode für die optische Hochgeschwindigkeitsdetektion

  Spektralbereich:0,9 ~ 2,6 μm

  Spitzenwellenlänge:2,3 μm

  Rücklaufquote (λp):1,0 ~ 1,3 A/W

  Kontakt
• 

  EMIRS200-AT01T-BR090 Portable Low-Power Infrarotlichtquelle für tragbare Gasanalysatoren

  Spektralbereich:2 ~ 14 μm

  Spitzenemissionswellenlänge:9,6 μm (CO₂ -Absorption)

  Leuchtende Energie:33 MW (bei 500 ° C)

  Kontakt
• 

  G12183-003K Hochleistungs-Indium-Gallium-Arsenid (InGaAs) PIN-Fotodiode für optische Leistungsmesser und Laserleistungserkennung

  Pakettyp:TO-18

  Montageart:Durchgangsloch (3-polig)

  Anzahl der Pins:3 Stifte

  Kontakt